HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BAT54SWT1G - ON Semiconductor Даташит Диод, RECT, ARRAY, 30 В, 0.2 А, SOT323 — Даташит

ON Semiconductor BAT54SWT1G

Наименование модели: BAT54SWT1G

41 предложений от 18 поставщиков
Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 200 мА, 800 мВ, 600 мА, 125 °C
BAT54SWT1G
ON Semiconductor
0.79 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BAT54SWT1G
ON Semiconductor
1.51 ₽
BAT54SWT1G
ON Semiconductor
от 7.15 ₽
Acme Chip
Весь мир
BAT54SWT1G**
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, RECT, ARRAY, 30 В, 0.2 А, SOT323

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BAT54SWT1G Dual Series Schottky Barrier Diodes
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping.

Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Features http://onsemi.com
· Extremely Fast Switching Speed · Low Forward Voltage - 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc · These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Series
  • Diode Type: Schottky
  • Forward Current If(AV): 200 мА
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 600 мА
  • Forward Voltage VF Max: 320 мВ
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 30 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 5 нс
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +125°C
  • Тип корпуса: SOT-323
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet BAT54SWT1G - ON Semiconductor DIODE, RECT, ARRAY, 30 V, 0.2 A, SOT323

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России