HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet MBR10H200CT - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 200 В — Даташит

Taiwan Semiconductor MBR10H200CT

Наименование модели: MBR10H200CT

13 предложений от 7 поставщиков
Диоды и выпрямители Шоттки 10 Amp 200 Volt Dual
ChipWorker
Весь мир
MBR10H200CT
Taiwan Semiconductor
46 ₽
Utmel
Весь мир
MBR10H200CT
Taiwan Semiconductor
от 70 ₽
Acme Chip
Весь мир
MBR10H200CT-E3/45
Vishay
по запросу
MBR10H200CT
Taiwan Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Taiwan Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 200 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBR10H100CT - MBR10H200CT
Pb
RoHS
COMPLIANCE
10.0 AMPS.

Schottky Barrier Rectifiers

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 200 В
  • Forward Current If(AV): 10 А
  • Forward Voltage VF Max: 970 мВ
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: +65°C
  • Pin Configuration: 1(A1), 2(K1+K2), 3(A2)
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Current Ifsm: 120 А
  • Current Ir Max: 5 мкА
  • Forward Voltage: 880 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Multicomp - MK3306

На английском языке: Datasheet MBR10H200CT - Taiwan Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, 10 A, 200 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России