Datasheet GA035XCP12-247 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247 — Даташит
Наименование модели: GA035XCP12-247
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A SIC IGBT CoPak | |||
| GA035XCP12-247 Genesic Semiconductor | 7 655 ₽ | ||
| GA035XCP12-247 Genesic Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247
Скачать Data SheetСпецификации:
- Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
- DC Collector Current: 35 А
- Количество выводов: 3
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Тип корпуса: 3-TO-247
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
Варианты написания:
GA035XCP12247, GA035XCP12 247
