Datasheet IDD05SG60C - Infineon Даташит Диод, Шоттки, 600 В, 5 А, TO252-3 — Даташит
Наименование модели: IDD05SG60C
Купить IDD05SG60C на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 150 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков INFINEON IDD05SG60C Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600V, 5A, 6NC, TO-252 | |||
| IDD05SG60C Infineon | 61 ₽ | ||
| IDD05SG60C Infineon | 64 ₽ | ||
| IDD05SG60C Infineon | 150 ₽ | ||
| IDD05SG60C Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Диод, Шоттки, 600 В, 5 А, TO252-3
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IDD05SG60C
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features · Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide · Switching behavior benchmark · No reverse recovery / No forward recovery · Temperature independent switching behavior · High surge current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Breakdown voltage tested at 20mA2) · Optimized for high temperature operation · Lowest Figure of Merit QC/IF · Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: · SMPS e.g.; CCM PFC · Motor Drives; Solar Applications; UPS Type IDD05SG60C Package PG-TO252-3 Marking D05G60C Pin 1 n.c.
Pin 2 A Pin 3 C Product Summary V DC QC I F; T C< 130 °C 600 6 5 V nC A
Maximum ratings Parameter Continuous forward current Symbol Conditions IF T C<130 °C T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms T C=25 °C, t p=10 µs T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms V RRM dv/ dt P
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
- Forward Current If(AV): 5 А
- Forward Voltage VF Max: 2.3 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 10 нс
- Forward Surge Current Ifsm Max: 26 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Тип корпуса: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- Electrolube - IPA01L
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
