Datasheet IDD12SG60C - Infineon Даташит Диод, Шоттки, 600 В, 12 А, TO252-3 — Даташит

Купить IDD12SG60C на РадиоЛоцман.Цены — от 271 до 1 748 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Телевизионные диоды, Diode Schottky 600V 12A 3Pin TO-252 T/R
ChipWorker Весь мир	IDD12SG60C Infineon	271 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IDD12SG60C Infineon	982 ₽	Купить
Контест Россия	IDD12SG60C	1 748 ₽	Купить
МосЧип Россия	IDD12SG60C Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Диод, Шоттки, 600 В, 12 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IDD12SG60C
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features · Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide · Switching behavior benchmark · No reverse recovery / No forward recovery · Temperature independent switching behavior · High surge current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Breakdown voltage tested at 20mA2) · Optimized for high temperature operation · Lowest Figure of Merit QC/IF · Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: · SMPS e.g.; CCM PFC · Motor Drives; Solar Applications; UPS Type IDD12SG60C Package PG-TO252-3 Marking D12G60C Pin 1 n.c.

Pin 2 A Pin 3 C Product Summary V DC QC I F; T C< 130 °C 600 19 12 V nC A
Maximum ratings Parameter Continuous forward current Symbol Conditions IF T C<130 °C T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms T C=25 °C, t p=10 µs T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms V RRM dv/ dt

Спецификации:

• Diode Type: Schottky
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
• Forward Current If(AV): 12 А
• Forward Voltage VF Max: 2.1 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 10 нс
• Forward Surge Current Ifsm Max: 59 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Тип корпуса: TO-252
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• EREM - 00SA
• Electrolube - IPA01L
• MULTICORE (SOLDER) - 698840