Datasheet IDH06SG60C - Infineon Даташит Диод, Шоттки, 600 В, 6 А, TO220-2 — Даташит

Купить IDH06SG60C на РадиоЛоцман.Цены — от 187 до 868 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Sic диод шоттки семейства 3g thinq!
T-electron Россия и страны СНГ	IDH06SG60C Infineon	187 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IDH06SG60C Infineon	223 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IDH06SG60C Infineon	397 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IDH06SG60C Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Диод, Шоттки, 600 В, 6 А, TO220-2

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IDH06SG60C
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features · Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide · Switching behavior benchmark · No reverse recovery / No forward recovery · Temperature independent switching behavior · High surge current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Breakdown voltage tested at 20mA2) · Optimized for high temperature operation · Lowest Figure of Merit QC/IF Product Summary V DC QC I F; T C< 130 °C 600 8 6 V nC A
thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: · SMPS e.g.; CCM PFC · Motor Drives; Solar Applications; UPS Type IDH06SG60C Package PG-TO220-2 Marking D06G60C Pin 1 C Pin 2 A
Maximum ratings Parameter Continuous forward current Symbol Conditions IF T C<130 °C T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms T C=25 °C, t p=10 µs T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms V RRM dv/ dt P tot T j, T stg T sold 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s M3 and

Спецификации:

• Diode Type: Schottky
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
• Forward Current If(AV): 6 А
• Forward Voltage VF Max: 2.3 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 10 нс
• Forward Surge Current Ifsm Max: 32 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Тип корпуса: TO-220
• Количество выводов: 2

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• ABL HEATSINKS - LS85
• Fischer Elektronik - FK 245 MI 247 O
• MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
• Multicomp - MK3311