Datasheet IDH12SG60C - Infineon Даташит Диод, Шоттки, 600 В, 12 А, TO220-2 — Даташит
Наименование модели: IDH12SG60C
 Купить IDH12SG60C на РадиоЛоцман.Цены — от 270 до 737 ₽27 предложений от 14 поставщиков Телевизионные диоды, INFINEON IDH12SG60C Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, thinQ 3G 600V Series, Single, 600V, 12A, 19NC, TO-220 | |||
| IDH12SG60C Infineon | 270 ₽ | ||
| IDH12SG60C Infineon | от 517 ₽ | ||
| IDH12SG60C Infineon | от 540 ₽ | ||
| IDH12SG60C Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Диод, Шоттки, 600 В, 12 А, TO220-2
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IDH12SG60C
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features · Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide · Switching behavior benchmark · No reverse recovery / No forward recovery · Temperature independent switching behavior · High surge current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Breakdown voltage tested at 20mA2) · Optimized for high temperature operation · Lowest Figure of Merit QC/IF Product Summary V DC QC I F; T C< 130 °C 600 19 12 V nC A
thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: · SMPS e.g.; CCM PFC · Motor Drives; Solar Applications; UPS Type IDH12SG60C Package PG-TO220-2 Marking D12G60C Pin 1 C Pin 2 A
Maximum ratings Parameter Continuous forward current Symbol Conditions IF T C<130 °C T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms T C=25 °C, t p=10 µs T C=25 °C, t p=10 ms T C=150 °C, t p=10 ms V RRM dv/ dt P tot T j, T stg T sold 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s M3 a
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 600 В
- Forward Current If(AV): 12 А
- Forward Voltage VF Max: 2.1 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 59 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Тип корпуса: TO-220
- Количество выводов: 2
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- MULTICORE (SOLDER) - 1399075-M
- Weller - 0051383199
