Datasheet MBR12035CT - Genesic Semiconductor Даташит Диод, RECTIF, 35 В, 120 А, TWIN TOWER — Даташит
Наименование модели: MBR12035CT
![]() 6 предложений от 6 поставщиков Силовой диод, Diode Schottky 35V 120A 3Pin Twin Tower | |||
MBR12035CT Genesic Semiconductor | 1 683 ₽ | ||
MBR12035CT Genesic Semiconductor | 3 777 ₽ | ||
MBR12035CT Genesic Semiconductor | 5 610 ₽ | ||
MBR12035CT Genesic Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: Диод, RECTIF, 35 В, 120 А, TWIN TOWER
Краткое содержание документа:
MBR12020CT thru MBR12040CTR
Silicon Power Schottky Diode
Features
· High Surge Capability · Types up to 100 V VRRM Twin Tower Package
VRRM = 20 V - 100 V IF = 120 A
Спецификации:
- Diode Type: Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 35 В
- Forward Current If(AV): 60 А
- Forward Voltage VF Max: 650 мВ
- Forward Surge Current Ifsm Max: 800 А
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+175°C
- Тип корпуса: Twin Tower
- Количество выводов: 2
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
- H S MARSTON - 150CN-01250-A-200
- Multicomp - MK3311