Datasheet IRF9530NPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	9 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 231 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2

...

8 9

1 2

...

8 9

Купить IRF9530NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 199 ₽ 64 предложений от 27 поставщиков P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
AiPCBA Весь мир	IRF9530NPBF Infineon	16 ₽
Берёзка Электронные Компоненты Россия	IRF9530NPBF Infineon	от 32 ₽
Триема Россия	MOSFET транзистор IRF9530NPBF SP001570634 IRF Infineon	40 ₽
Компонентс Ру Россия	IRF9530NPBF Infineon	от 74 ₽

Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Модельный ряд для этого даташита

IRF9530N

IRF9530NPBF

Текстовая версия документа

IRF9530NPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" - VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ GS=10V ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% I [ SD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Удачная альтернатива: 24-битный сигма-дельта АЦП MS5193 от Ruimeng

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring