Datasheet IRF9530NPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	9 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 231 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2

...

8 9

1 2

...

8 9

Купить IRF9530NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 196 ₽ 64 предложений от 27 поставщиков P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
Romstore Россия, Беларусь	IRF9530NPBF	от 93 ₽
727GS Весь мир	IRF9530NPBF Infineon	196 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF9530NPBF International Rectifier	по запросу
TradeElectronics Россия	IRF9530N-PBF&	по запросу

Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Модельный ряд для этого даташита

IRF9530N

IRF9530NPBF

Текстовая версия документа

IRF9530NPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" - VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ GS=10V ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% I [ SD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring