Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet AD8641, AD8642, AD8643 (Analog Devices) - 4

ПроизводительAnalog Devices
ОписаниеLow Power, Rail-to-Rail Output, Precision JFET Amplifiers
Страниц / Страница15 / 4 — AD8641/AD8642/AD8643. Data Sheet. Table 2. Parameter. Symbol. Test …
ВерсияF
Формат / Размер файлаPDF / 323 Кб
Язык документаанглийский

AD8641/AD8642/AD8643. Data Sheet. Table 2. Parameter. Symbol. Test Conditions/Comments. Min. Typ. Max. Unit

AD8641/AD8642/AD8643 Data Sheet Table 2 Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit

41 предложений от 19 поставщиков
Микросхема Буферный усилитель, Op Amp Dual GP R-R O/P ±13V/26V 8Pin SOIC N T/R
AllElco Electronics
Весь мир
AD8642ARZ-REEL7
Analog Devices
от 127 ₽
ChipWorker
Весь мир
AD8642ARZ-REEL7
Analog Devices
208 ₽
AiPCBA
Весь мир
AD8642ARZ-REEL7
Analog Devices
278 ₽
Элрус
Россия
AD8642ARZ-REEL7
Analog Devices
от 281 ₽
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

AD8641/AD8642/AD8643 Data Sheet
VS = ±13 V, VCM = 0 V, TA =25°C, unless otherwise noted.
Table 2. Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
INPUT CHARACTERISTICS Offset Voltage VOS 70 750 µV AD8643 LFCSP only 1 mV −40°C < TA < +125°C 1.5 mV Input Bias Current IB 0.25 1 pA −40°C < TA < +125°C 260 pA Input Offset Current IOS 0.5 pA −40°C < TA < +125°C 65 pA Input Voltage Range −13 +10 V Common-Mode Rejection Ratio CMRR VCM = −13 V to +10 V 90 107 dB Large Signal Voltage Gain AVO RL = 10 kΩ, VO = −11 V to +11 V 215 290 V/mV Offset Voltage Drift ∆VOS/∆T −40°C < TA < +125°C 2.5 µV/°C OUTPUT CHARACTERISTICS Output Voltage High VOH +12.95 V IL = 1 mA, −40°C to +125°C +12.94 V Output Voltage Low VOL −12.95 V IL = 1 mA, −40°C to +125°C −12.94 V Output Current IOUT ±12 mA POWER SUPPLY Power Supply Rejection Ratio PSRR VS = ±2.5 V to ±13 V 90 107 dB Supply Current/Amplifier ISY 200 290 µA −40°C < TA < +125°C 330 µA DYNAMIC PERFORMANCE Slew Rate SR 3 V/µs Gain Bandwidth Product GBP 3.5 MHz Phase Margin Øm 60 Degrees NOISE PERFORMANCE Voltage Noise eN p-p f = 0.1 Hz to 10 Hz 4.2 µV p-p Voltage Noise Density eN f = 1 kHz 27.5 nV/√Hz Current Noise Density iN f = 1 kHz 0.5 fA/√Hz Rev. F | Page 4 of 15 Document Outline FEATURES APPLICATIONS GENERAL DESCRIPTION PIN CONFIGURATIONS TABLE OF CONTENTS REVISION HISTORY SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS THERMAL RESISTANCE ESD CAUTION TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS OUTLINE DIMENSIONS ORDERING GUIDE
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка