Источники питания Keen Side

Datasheet AD8643-EP (Analog Devices) - 3

ПроизводительAnalog Devices
ОписаниеLow Power, Rail-to-Rail, Output Precision JFET Amplifier
Страниц / Страница12 / 3 — AD8643-EP. SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Table 1. Parameter. …
Формат / Размер файлаPDF / 255 Кб
Язык документаанглийский

AD8643-EP. SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Table 1. Parameter. Symbol. Test Conditions/Comments. Min. Typ. Max. Unit

AD8643-EP SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS Table 1 Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit

35 предложений от 16 поставщиков
Интегральные микросхемы Аналоговая техника — усилители — инструменты, ОУ (операционные), буферные
ChipWorker
Весь мир
AD8643ARZ-REEL7
Analog Devices
253 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
AD8643ARZ-REEL7
Analog Devices
от 545 ₽
IC Home
Весь мир
AD8643ARZ-REEL7
Analog Devices
946 ₽
AD8643ARZ-REEL7
Analog Devices
от 1 270 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

AD8643-EP SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VS = 5.0 V, VCM = 2.5 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 1. Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
INPUT CHARACTERISTICS Offset Voltage VOS 50 1000 μV −55°C < TA < +85°C 1.8 mV +85°C < TA < +125°C, VCM = 1.5 V 1.9 mV Input Bias Current IB 0.25 1 pA −55°C < TA < +125°C 180 pA Input Offset Current IOS 0.5 pA −55°C < TA < +125°C 60 pA Input Voltage Range 0 3 V Common-Mode Rejection Ratio CMRR VCM = 0 V to 2.5 V 74 93 dB Large Signal Voltage Gain AVO RL = 10 kΩ, VO = 0.5 to 4.5 V 80 140 V/mV Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT −55°C < TA < +125°C 2.5 μV/°C OUTPUT CHARACTERISTICS Output Voltage High VOH 4.95 V IL = 1 mA, −55°C to +125°C 4.94 V Output Voltage Low VOL 0.05 V IL = 1 mA, −55°C to +125°C 0.01 0.05 V Output Current IOUT ±6 mA POWER SUPPLY Power Supply Rejection Ratio PSRR VS = 5 V to 26 V 90 107 dB Supply Current/Amplifier ISY 195 250 μA −55°C < TA < +125°C 270 μA DYNAMIC PERFORMANCE Slew Rate SR 2 V/μs Gain Bandwidth Product GBP 2.5 MHz Phase Margin Øm 50 Degrees NOISE PERFORMANCE Voltage Noise eN p-p f = 0.1 Hz to 10 Hz 4.0 μV p-p Voltage Noise Density eN f = 1 kHz 28.5 nV/√Hz Current Noise Density iN f = 1 kHz 0.5 fA/√Hz Rev. 0 | Page 3 of 12 Document Outline FEATURES ENHANCED PRODUCT FEATURES APPLICATIONS GENERAL DESCRIPTION PIN CONFIGURATION TABLE OF CONTENTS REVISION HISTORY SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS THERMAL RESISTANCE ESD CAUTION TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS OUTLINE DIMENSIONS ORDERING GUIDE
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка