Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet AD8643-EP (Analog Devices) - 4

ПроизводительAnalog Devices
ОписаниеLow Power, Rail-to-Rail, Output Precision JFET Amplifier
Страниц / Страница12 / 4 — AD8643-EP. Table 2. Parameter. Symbol. Test Conditions/Comments. Min. …
Формат / Размер файлаPDF / 255 Кб
Язык документаанглийский

AD8643-EP. Table 2. Parameter. Symbol. Test Conditions/Comments. Min. Typ. Max. Unit

AD8643-EP Table 2 Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit

16 предложений от 13 поставщиков
Интегральные микросхемы Аналоговая техника — усилители — инструменты, ОУ (операционные), буферные
ChipWorker
Весь мир
AD8643TRZ-EP-R7
Analog Devices
386 ₽
AiPCBA
Весь мир
AD8643TRZ-EP-R7
Analog Devices
984 ₽
AD8643TRZ-EP-R7
Analog Devices
от 2 259 ₽
Augswan
Весь мир
AD8643TRZ-EP-R7
Analog Devices
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

AD8643-EP
VS= ±13 V, VCM = 0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2. Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
INPUT CHARACTERISTICS Offset Voltage VOS 70 1000 μV −55° < TA < +125°C 1.8 mV Input Bias Current IB 0.25 1 pA –55°C < TA < +125°C 260 pA Input Offset Current IOS 0.5 pA −55°C < TA < +125°C 65 pA Input Voltage Range −13 +10 V Common-Mode Rejection Ratio CMRR VCM = −13 V to +10 V 90 107 dB Large Signal Voltage Gain AVO RL = 10 kΩ, VO = –11 V to +11 V 215 290 V/mV Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT −55°C < TA < +125°C 2.5 μV/°C OUTPUT CHARACTERISTICS Output Voltage High VOH 12.95 V IL = 1 mA, −55°C to +125°C 12.94 V Output Voltage Low VOL −12.95 V IL = 1 mA, −55°C to +125°C −12.94 V Output Current IOUT ±12 mA POWER SUPPLY Power Supply Rejection Ratio PSRR VS = ±2.5 V to ±13 V 90 107 dB Supply Current/Amplifier ISY 200 290 μA −55°C < TA < +125°C 330 μA DYNAMIC PERFORMANCE Slew Rate SR 3 V/μs Gain Bandwidth Product GBP 3.5 MHz Phase Margin Ø
m
60 Degrees NOISE PERFORMANCE Voltage Noise eN p-p f = 0.1 Hz to 10 Hz 4.2 μV p-p Voltage Noise Density eN f = 1 kHz 27.5 nV/√Hz Current Noise Density iN f = 1 kHz 0.5 fA/√Hz Rev. 0 | Page 4 of 12 Document Outline FEATURES ENHANCED PRODUCT FEATURES APPLICATIONS GENERAL DESCRIPTION PIN CONFIGURATION TABLE OF CONTENTS REVISION HISTORY SPECIFICATIONS ELECTRICAL CHARACTERISTICS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS THERMAL RESISTANCE ESD CAUTION TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS OUTLINE DIMENSIONS ORDERING GUIDE
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка