Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet AD822-EP (Analog Devices) - 8

ПроизводительAnalog Devices
ОписаниеSingle-Supply, Rail-to-Rail Low Power FET-Input Op Amp
Страниц / Страница20 / 8 — AD822-EP. Table 3. Grade. Parameter. Test Conditions/Comments. Min. Typ. …
Формат / Размер файлаPDF / 321 Кб
Язык документаанглийский

AD822-EP. Table 3. Grade. Parameter. Test Conditions/Comments. Min. Typ. Max. Unit

AD822-EP Table 3 Grade Parameter Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit

27 предложений от 15 поставщиков
Интегральные микросхемы Аналоговая техника — усилители — инструменты, ОУ (операционные), буферные
AiPCBA
Весь мир
AD822TRZ-EP-R7
Analog Devices
635 ₽
ЧипСити
Россия
AD822TRZ-EP-R7
Analog Devices
800 ₽
Maybo
Весь мир
AD822TRZ-EP-R7
Analog Devices
2 172 ₽
Augswan
Весь мир
AD822TRZ-EP-R7
Analog Devices
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 20 link to page 9
AD822-EP
VS = ±15 V @ TA = 25°C, VCM = 0 V, VOUT = 0 V, unless otherwise noted.
Table 3. T Grade Parameter Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit
DC PERFORMANCE Initial Offset 0.4 2 mV Maximum Offset Over Temperature 0.5 3 mV Offset Drift 2 μV/°C Input Bias Current VCM = 0 V 2 25 pA VCM = −10 V 40 pA At TMAX VCM = 0 V 0.5 6 nA Input Offset Current 2 20 pA At TMAX 0.5 nA Open-Loop Gain VOUT = −10 V to +10 V RL = 100 kΩ 500 2000 V/mV TMIN to TMAX 500 V/mV RL = 10 kΩ 100 500 V/mV TMIN to TMAX 100 V/mV RL = 1 kΩ 30 45 V/mV TMIN to TMAX 20 V/mV NOISE/HARMONIC PERFORMANCE Input Voltage Noise f = 0.1 Hz to 10 Hz 2 μV p-p f = 10 Hz 25 nV/√Hz f = 100 Hz 21 nV/√Hz f = 1 kHz 16 nV/√Hz f = 10 kHz 13 nV/√Hz Input Current Noise f = 0.1 Hz to 10 Hz 18 fA p-p f = 1 kHz 0.8 fA/√Hz Harmonic Distortion RL = 10 kΩ f = 10 kHz VOUT = ±10 V −85 dB DYNAMIC PERFORMANCE Unity-Gain Frequency 1.9 MHz Full Power Response VOUT p-p = 20 V 45 kHz Slew Rate 3 V/μs Settling Time to 0.1% VOUT = 0 V to ±10 V 4.1 μs to 0.01% VOUT = 0 V to ±10 V 4.5 μs MATCHING CHARACTERISTICS Initial Offset 3 mV Maximum Offset Over Temperature 4 mV Offset Drift 3 μV/°C Input Bias Current 25 pA Crosstalk @ f = 1 kHz RL = 5 kΩ −130 dB Crosstalk @ f = 100 kHz RL = 5 kΩ −93 dB INPUT CHARACTERISTICS Input Voltage Range1, TMIN to TMAX −15.2 +14 V Common-Mode Rejection Ratio (CMRR) VCM = −15 V to +12 V 70 80 dB TMIN to TMAX VCM = −15 V to +12 V 70 dB Input Impedance Differential 1013||0.5 Ω||pF Common Mode 1013||2.8 Ω||pF Rev. 0 | Page 8 of 20 Document Outline FEATURES ENHANCED PRODUCT FEATURES APPLICATIONS CONNECTION DIAGRAM GENERAL DESCRIPTION TABLE OF CONTENTS REVISION HISTORY SPECIFICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS THERMAL RESISTANCE ESD CAUTION TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS OUTLINE DIMENSIONS ORDERING GUIDE
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка