Источники питания Keen Side

Datasheet IRFZ44NPbF (Infineon) - 7

ПроизводительInfineon
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файлаPDF / 232 Кб
Язык документаанглийский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit D.U.T Fig 14

67 предложений от 30 поставщиков
Транзисторы разные.Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 49 АКорпус: TO-220-3Максимально допустимое напряжение: сток-исток (Vds max) - 55...
Триема
Россия
IRFZ44NPBF TO-220 (RP)
23 ₽
ICdarom.ru
Россия
IRFZ44NPBF
Infineon
от 26 ₽
IRFZ44NPBF
Infineon
от 26 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFZ44NPBF
Infineon
от 82 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRFZ44NPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance ƒ • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + ‚ „ - + -  RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" - VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ GS=10V ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% I [ SD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка