Datasheet IRFZ44NPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 232 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2 3

...

1 2 3

...

Купить IRFZ44NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 9.24 до 286 ₽ 65 предложений от 28 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 55Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 49Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 17,5Заряд затвора,...
ICdarom.ru Россия	IRFZ44NPBF Infineon	от 20 ₽
Стандарт СИЗ Россия	IRFZ44NPBF STMicroelectronics	по запросу
Океан Электроники Россия	IRFZ44NPBF International Rectifier	по запросу
LifeElectronics Россия	IRFZ44NPBF/IR International Rectifier	по запросу

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

IRFZ44N

IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF

Текстовая версия документа

IRFZ44NPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" - VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ GS=10V ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% I [ SD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring