Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRF3205PbF (Infineon) - 5

ПроизводительInfineon
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 5 — Fig 10a. Fig. 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11
Формат / Размер файлаPDF / 221 Кб
Язык документаанглийский

Fig 10a. Fig. 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11

Fig 10a Fig 10a Fig 9 Fig 10b Fig 11

69 предложений от 30 поставщиков
Распродажа! Остаток 4 штуки на 31/03/2023. IRF3205 PBF MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 8mΩ / 10V, 98 А. Исполнение: TO-220...
AllElco Electronics
Весь мир
IRF3205PBF
Infineon
от 20 ₽
ЭК ЗИП
Россия
IRF3205PBF
Infineon
от 25 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF3205PBF
Infineon
35 ₽
DIP8.RU
Россия и страны ТС
IRF3205PBF
Infineon
от 140 ₽
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF3205PbF RD 120 VDS LIMITED BY PACKAGE VGS V D.U.T. 100 RG + ) A -VDD ( 80 10V urrent Pulse Width ≤ 1 µs Duty Factor ≤ 0.1 % 60 n C rai D
Fig 10a. Fig 10a.
Switching T Switching ime T Test ime Circuit Test 40 I , D VDS V 90% 20 025 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( C ° ) 10% C VGS V td(on) t trt td(of d( f of )f tft
Fig 9. Fig 9.
Maximum Drain Maximum Current Drain Vs. Current
Fig 10b.
Switching Time Waveforms Case Temperature Case 1 D = 0.50 thJC(Z )e 0.20 0.1 0.10 espons P 0.05 DM mal R SINGLE PULSE t1 0.02 (THERMAL RESPONSE) 0.01 t2 Ther Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak TJ=P DMx ZthJC + TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1
Fig 11. Fig
Maximum Effective Maximum Transient Effective Thermal Transient I Thermal mpedance, I Junction-to-Case mpedance, www.irf.com 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка