Datasheet IRF3205PbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 221 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2 3

...

1 2 3

...

Купить IRF3205PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.00 до 155 ₽ 59 предложений от 27 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 55Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 110Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 8Заряд затвора,...
ICdarom.ru Россия	IRF3205PBF	от 29 ₽
ЧипСити Россия	IRF3205PBF Infineon	55 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRF3205PBF Infineon	от 89 ₽
Океан Электроники Россия	IRF3205-PBF&	по запросу

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

IRF3205

IRF3205PBF IRF3205PBF

Текстовая версия документа

IRF3205PbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • Driver same type as D.U.T. - VDD • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period VGS=10V * D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

PN7113 – доступная со склада альтернатива драйверам xx2110, xx2113 и xx2112

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring