Datasheet IRFP360, IRFP362 (New Jersey Semiconductor) - 2

Производитель	New Jersey Semiconductor
Описание	Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Страниц / Страница	2 / 2 — IRFP360, IRFP362. ELECTRICAL CHARACTERISTICS At Case Temperature (Tj) = …
Формат / Размер файла	PDF / 650 Кб
Язык документа	английский

IRFP360, IRFP362. ELECTRICAL CHARACTERISTICS At Case Temperature (Tj) = 25° C Unless Otherwise Specified

Купить IRFP362 на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 1 025 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
ChipWorker Весь мир	IRFP362 Harris	117 ₽
Компонентс Ру Россия	IRFP362 Harris	780 ₽
Элитан Россия	IRFP362 Texas Instruments	966 ₽
Зенер Россия и страны ТС	IRFP362	1 025 ₽

Модельный ряд для этого даташита

IRFP360

IRFP362

Текстовая версия документа

IRFP360, IRFP362
ELECTRICAL CHARACTERISTICS At Case Temperature (Tj) = 25° C Unless Otherwise Specified
Parameter Type Mm BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage IRFP380
IHFP362 400 -V VQS -0V. ID -2SOMA RDS(on) Static Drain-to-Source
On-State Resistance CD IRFP360 — 0.18 020 Q VQS . iov. ID -ISA IRFP362 -0.20 0.25 'D(on) On-Stale Dram Current @ IRFP3SO 23 -A VDS> IRFP362 20 Typ. Max Units Tesi Conditions !D(on) VGS -10V VDS VGS-vGS(th) O*« Threshold Voltage ALL 2.0 -4.0 V 9(5 Forward Transconductance (3) ALL 14 21 -S(D) -250 -1000 M* VDS * ° 8 « ALL -500 nA VGS -20V 'OSS Zef° Gat* VottAfl* Drain Current
ALL 'CSS Gate-to-Source Leakage Forward -x RDS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring