Datasheet IRF5210SPbF, IRF5210LPbF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Страниц / Страница	10 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 15
Формат / Размер файла	PDF / 318 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 15

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRF5210STRLPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 320 ₽ 49 предложений от 24 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -38Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60Емкость, пФ:...
ChipWorker Весь мир	IRF5210STRLPBF Infineon	35 ₽
Берёзка Электронные Компоненты Россия	IRF5210STRLPBF Infineon	от 67 ₽
СЭлКом Россия и страны СНГ	IRF5210STRLPBF Infineon	80 ₽
ТаймЧипс Россия	IRF5210STRLPBF International Rectifier	по запросу

Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Модельный ряд для этого даташита

IRF5210S

IRF5210SPBF IRF5210STRLPBF IRF5210STRRPBF

Текстовая версия документа

IRF5210S/LPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit D.U.T
* Circuit Layout Considerations + • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - + RG • dv/dt controlled by RG - • ISD controlled by Duty Factor "D" VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period [ ] *** VGS=10V D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD [ ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD [ ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 15.
For P-Channel HEXFETS www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring