Оптопары и оптореле Megawin

Datasheet 2N7000, 2N7002, VQ1000J, VQ1000P, BS170 (Vishay) - 2

ПроизводительVishay
ОписаниеN-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Страниц / Страница6 / 2 — 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170. Vishay Siliconix. Single. Total Quad. …
Формат / Размер файлаPDF / 60 Кб
Язык документаанглийский

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170. Vishay Siliconix. Single. Total Quad. Parameter. Symbol. 2N7002. VQ1000J. VQ1000P. VQ1000J/P. BS170. Unit

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix Single Total Quad Parameter Symbol 2N7002 VQ1000J VQ1000P VQ1000J/P BS170 Unit

10 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор N-CH 60V 0.225A
VQ1000P-1
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
VQ1000P
по запросу
727GS
Весь мир
VQ1000P
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
VQ1000P
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Single Total Quad Parameter Symbol
2N7000
2N7002 VQ1000J VQ1000P VQ1000J/P BS170 Unit
Drain-Source Voltage VDS 60 60 60 60 60 Gate-Source Voltage—Non-Repetitive VGSM "40 "40 "30 "25 V Gate-Source Voltage—Continuous VGS "20 "20 "20 "20 "20 T Continuous Drain Current A= 25_C 0.2 0.115 0.225 0.225 0.5 Continuous Drain Current I (T D J = 150_C) TA= 100_C 0.13 0.073 0.14 0.14 0.175 A Pulsed Drain Currenta IDM 0.5 0.8 1 1 TA= 25_C 0.4 0.2 1.3 1.3 2 0.83 Power Dissipation PD W TA= 100_C 0.16 0.08 0.52 0.52 0.8 Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RthJA 312.5 625 96 96 62.5 156 _C/W Operating Junction and T Storage Temperature Range J, Tstg –55 to 150 _C Notes a. Pulse width limited by maximum junction temperature. b. tp v 50 ms. SPECIFICATIONSĊ2N7000 AND 2N7002 (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Limits
2N7000 2N7002
Parameter Symbol Test Conditions Typa Min Max Min Max Unit Static
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0 V, ID = 10 mA 70 60 60 VDS = VGS, ID = 1 mA 2.1 0.8 3 V Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 0.25 mA 2.0 1 2.5 VDS = 0 V, VGS = "15 V "10 Gate-Body Leakage IGSS nA VDS = 0 V, VGS = "20 V "100 VDS = 48 V, VGS = 0 V 1 TC = 125_C 1000 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS mA VDS = 60 V, VGS = 0 V 1 TC = 125_C 500 VDS = 10 V, VGS = 4.5 V 0.35 0.075 On-State Drain Currentb ID(on) A VDS = 7.5 V, VGS = 10 V 1 0.5 VGS = 4.5 V, ID = 0.075 A 4.5 5.3 VGS = 5 V, ID = 0.05 A 3.2 7.5 Drain-Source On-Resistanceb rDS( DS on) T on) C = 125_C 5.8 13.5 W VGS = 10 V, ID = 0.5 A 2.4 5 7.5 TJ = 125_C 4.4 9 13.5 Forward Transconductanceb gfs VDS = 10 V, ID = 0.2 A 100 80 mS Common Source Output Conductanceb gos VDS = 5 V, ID = 0.05 A 0.5
Dynamic
Input Capacitance Ciss 22 60 50 V Output Capacitance C DS = 25 V, VGS = 0 V oss 11 25 25 pF f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance Crss 2 5 5 www.vishay.com Document Number: 70226
11-2
S-04279—Rev. F, 16-Jul-01 Document Outline Datasheet Disclaimer
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка