Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet IRL3705N (Infineon) - 3

ПроизводительInfineon
Описание55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Страниц / Страница9 / 3 — VGS. TOP 15V. 12V. 10V. 8.0V. 6.0V. 4.0V. 3.0V. BOTTOM 2.5V. Fig. 1. Fig. …
Версия01_02
Формат / Размер файлаPDF / 455 Кб
Язык документаанглийский

VGS. TOP 15V. 12V. 10V. 8.0V. 6.0V. 4.0V. 3.0V. BOTTOM 2.5V. Fig. 1. Fig. 2. Fig. 3. Fig. 4

VGS TOP 15V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V BOTTOM 2.5V Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

55 предложений от 22 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом
727GS
Весь мир
IRL3705NPBF
Infineon
4.89 ₽
IRL3705NPBF
Infineon
от 171 ₽
IRL3705NPBF
по запросу
Augswan
Весь мир
IRL3705NPBF
Infineon
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3705NPbF 1000 1000
VGS VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V 10V 10V
)
8.0V
)
8.0V 6.0V
A
6.0V
(A
4.0V
(
4.0V 3.0V 3.0V BOTTOM 2.5V
rent
BOTTOM 2.5V
100 urrent 100 e C ce Cur ourc S to- to-Sour n- 2.5V 10 10 ai ain- Dr I , Dr D D 2.5V I , 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = J 25°C T = J 175°C 1 A 1 A 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS
Fig. 1
Typical Output Characteristics
Fig. 2
Typical Output Characteristics 1000 3.0 I D = 77A ) nce A sta T 2.5 J = 25°C si nt ( e rr T J = 175°C 100 u n Re 2.0 O ) rce C u ource ized o 1.5 -S al -S m o or in-to 10 (N 1.0 Dra Drain-t , n) DI 0.5 (o V = 2 DS 5V DS 20µs PULSE WIDTH R 1 V GS = 10V A 0.0 A 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 GS V , Gate-to-Source Voltage (V) J T , Junction Temperature (°C)
Fig. 3
Typical Transfer Characteristics
Fig. 4
Normalized On-Resistance vs. Temperature 3 2018-05-25
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка