Datasheet IRL3705N (International Rectifier) - 7
| Производитель | International Rectifier |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Страниц / Страница | 8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14 |
| Формат / Размер файла | PDF / 109 Кб |
| Язык документа | английский |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
32 предложений от 20 поставщиков МОП-транзистор 55V Single N-Channel HEXFET Power МОП-транзистор |
| IRL3705NS
Infineon | 4.72 ₽ | |
| IRL3705N
| 50 ₽ | |
| IRL3705N (Z)
| от 78 ₽ | |
| IRL3705N
International Rectifier | от 196 ₽ | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
IRL3705N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
D.U.T
• Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • Driver same type as D.U.T. V - DD • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period VGS=10V * D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
Купить IRL3705N на РадиоЛоцман.Цены — от 4.72 до 196 ₽
