Datasheet IRL3705N (International Rectifier) - 7

Производитель	International Rectifier
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
Формат / Размер файла	PDF / 109 Кб
Язык документа	английский

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14

1 2 3

...

1 2 3

...

Купить IRL3705N на РадиоЛоцман.Цены — от 4.89 до 382 ₽ 33 предложений от 21 поставщиков МОП-транзистор 55V Single N-Channel HEXFET Power МОП-транзистор
Элитан Россия	IRL3705N	83 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRL3705NS	по запросу
ТаймЧипс Россия	IRL3705N International Rectifier	по запросу
Maybo Весь мир	IRL3705N Infineon	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

IRL3705N

Текстовая версия документа

IRL3705N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
D.U.T
• Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • Driver same type as D.U.T. V - DD • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period VGS=10V * D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring