AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet ZTX749 (Diodes) - 3

ПроизводительDiodes
ОписаниеSilicon planar medium power PNP transistor
Страниц / Страница3 / 3 — TYPICAL CHARACTERISTICS. VCE(sat) v IC. Switching Speeds. hFE v IC. …
Формат / Размер файлаPDF / 67 Кб
Язык документаанглийский

TYPICAL CHARACTERISTICS. VCE(sat) v IC. Switching Speeds. hFE v IC. VBE(sat) v IC. VBE(on) v IC. Safe Operating Area

TYPICAL CHARACTERISTICS VCE(sat) v IC Switching Speeds hFE v IC VBE(sat) v IC VBE(on) v IC Safe Operating Area

35 предложений от 25 поставщиков
Биполярные транзисторы - BJT PNP MED PWR 25V 2A -35VCBO -25VCEO
ЧипСити
Россия
ZTX749
Diodes
28 ₽
LifeElectronics
Россия
ZTX749_Q
Fairchild
по запросу
Контест
Россия
ZTX749STOA
Zetex
по запросу
МосЧип
Россия
ZTX749STOA
Diodes
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZTX749
TYPICAL CHARACTERISTICS
td tr 1.8 tf IB1=IB2=IC/10 ns V 1.6 160 CE=-10V ts 1.4 140 ns 1200 1.2 120 ts olts) 1.0 1000 100 tf 80 - (V 0.8 ) ta 600 60 0.6 (s IC/IB=100 Switching time CE 0.4 40 tr td V 0.2 200 20 IC/IB=10 0 0 0.001 0.01 0.1 0.01 0.1 1 10 1 IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
VCE(sat) v IC Switching Speeds
1.2 200 1.0 VCE=2V 160 IC/IB=10 0.8 olts) Gain - 120 - (V FE ) h t a 0.6 IC/IB=100 (s 80 BE V 0.4 40 0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10 IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
hFE v IC VBE(sat) v IC
Single Pulse Test at Tamb=25°C 10 1.2 ) s 1.0 Amp( VCE=2V nt 1.0 err olts) 0.8 u (V C D.C. - r 1s to 100ms BE c 0.6 10ms V lel 0.1 o 1.0ms C- 0.4 CI 0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 1 10 100 IC - Collector Current (Amps) VCE - Collector Voltage (Volts)
VBE(on) v IC Safe Operating Area
3-256
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка