Datasheet 2N3905/2N3906 (Motorola) - 5
Производитель | Motorola |
Описание | PNP Silicon General Purpose Transistors |
Страниц / Страница | 6 / 5 — TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS. Figure 13. DC Current Gain. Figure 14. … |
Формат / Размер файла | PDF / 146 Кб |
Язык документа | английский |
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS. Figure 13. DC Current Gain. Figure 14. Collector Saturation Region. Figure 15. “ON” Voltages

71 предложений от 37 поставщиков Транзисторы (упаковка 10 шт) 2N3906 (PNP, 0.2А, 40В) MCIGICMХарактеристики транзистора 2N3906:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора:... |
| 2N3906ZL1 ON Semiconductor | 0.47 ₽ | |
| 2N3906
| 0.78 ₽ | |
| 2N3906RLRAG ON Semiconductor | 2.46 ₽ | |
| 2N3906 NTE Electronics | 8.48 ₽ | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
2.0 TJ = +125°C VCE = 1.0 V 1.0 +25°C (NORMALIZED) 0.7 – 55°C GAIN 0.5 0.3 0.2 FEh , DC CURRENT 0.10.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. DC Current Gain
1.0 TS) T (VOL J = 25°C 0.8 TAGE IC = 1.0 mA 10 mA 30 mA 100 mA VOL 0.6 EMITTER 0.4 OR 0.2 CEV , COLLECT 00.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 14. Collector Saturation Region
1.0 1.0 T ° J = 25°C VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.8 0.5 +25°C TO +125°C q V VC FOR VCE(sat) BE @ VCE = 1.0 V TS) 0 0.6 – 55°C TO +25°C (VOL – 0.5 TAGE 0.4 +25°C TO +125°C , VOL TURE COEFFICIENTS (mV/ C) V – 1.0 VCE(sat) @ IC/IB = 10 – 55°C TO +25°C 0.2 – 1.5 qVB FOR VBE(sat) , TEMPERA Vq 0 – 2.0 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. “ON” Voltages Figure 16. Temperature Coefficients
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 5