Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet MMBT3904WT1, SMMBT3904WT1G, MMBT3906WT1, SMMBT3906WT1G (ON Semiconductor) - 9

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеNPN and PNP Bipolar Transistor
Страниц / Страница13 / 9 — MMBT3904WT1G, NPN, SMMBT3904WT1G, NPN, MMBT3906WT1G, PNP,. SMMBT3906WT1G, …
Версия9
Формат / Размер файлаPDF / 132 Кб
Язык документаанглийский

MMBT3904WT1G, NPN, SMMBT3904WT1G, NPN, MMBT3906WT1G, PNP,. SMMBT3906WT1G, PNP. MMBT3906WT1, SMMBT3906WT1

MMBT3904WT1G, NPN, SMMBT3904WT1G, NPN, MMBT3906WT1G, PNP, SMMBT3906WT1G, PNP MMBT3906WT1, SMMBT3906WT1

58 предложений от 26 поставщиков
TRANS NPN 40V 0.2A SOT323. Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323). Transistors - Bipolar (BJT)...
AiPCBA
Весь мир
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
1.63 ₽
ICdarom.ru
Россия
MMBT3904WT1G
ON Semiconductor
от 6.00 ₽
Maybo
Весь мир
MMBT3904WT1G
ON Semiconductor
11 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
по запросу
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

MMBT3904WT1G, NPN, SMMBT3904WT1G, NPN, MMBT3906WT1G, PNP, SMMBT3906WT1G, PNP MMBT3906WT1, SMMBT3906WT1
3 V 3 V < 1 ns +9.1 V 275 275 < 1 ns 10 k 10 k 0 CS < 4 pF* 1N916 CS < 4 pF* +10.6 V 300 ns 10 < t1 < 500 ms t 10.9 V DUTY CYCLE = 2% 1 DUTY CYCLE = 2% * Total shunt capacitance of test jig and connectors
Figure 22. Delay and Rise Time Figure 23. Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit Equivalent Test Circuit TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
TJ = 25°C TJ = 125°C 500 500 I MMBT3906WT1 300 C/IB = 10 V MMBT3906WT1 300 CC = 40 V I 200 200 B1 = IB2 IC/IB = 20 100 100 70 70 t 50 r @ VCC = 3.0 V TIME (ns) 50 ALL I TIME (ns) 30 15 V 30 C/IB = 10 f 20 t , F 20 40 V 10 2.0 V 10 7 t 7 d @ VOB = 0 V 5 5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 24. Turn −On Time Figure 25. Fall Time TYPICAL AUDIO SMALL− SIGNAL CHARACTERISTICS NOISE FIGURE VARIATIONS
(VCE = −5.0 Vdc, TA = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz) 5.0 12 SOURCE RESISTANCE = 200 W f = 1.0 kHz IC = 1.0 mA IC = 1.0 mA 10 4.0 IC = 0.5 mA SOURCE RESISTANCE = 200 W IC = 0.5 mA 8.0 3.0 SOURCE RESISTANCE = 2.0 k I 6.0 C = 50 mA 2.0 , NOISE FIGURE (dB) , NOISE FIGURE (dB) 4.0 IC = 50 mA NF NF 1.0 SOURCE RESISTANCE = 2.0 k IC = 100 mA 2.0 IC = 100 mA MMBT3906WT1 MMBT3906WT1 0 0 0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100 0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100 f, FREQUENCY (kHz) RS, SOURCE RESISTANCE (kW)
Figure 26. Figure 27. www.onsemi.com 9
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка