Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SMBT3906...MMBT3906 (Infineon) - 2

ПроизводительInfineon
ОписаниеPNP Silicon Switching Transistors
Страниц / Страница12 / 2 — SMBT3906...MMBT3906. Thermal Resistance Parameter. Symbol. Value. Unit. …
Версия01_01
Формат / Размер файлаPDF / 908 Кб
Язык документаанглийский

SMBT3906...MMBT3906. Thermal Resistance Parameter. Symbol. Value. Unit. Electrical Characteristics. Parameter. Values. min. typ. max

SMBT3906...MMBT3906 Thermal Resistance Parameter Symbol Value Unit Electrical Characteristics Parameter Values min typ max

26 предложений от 11 поставщиков
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Lixinc Electronics
Весь мир
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
от 2.73 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
от 6.35 ₽
Элитан
Россия
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
6.78 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SMBT3906...MMBT3906 Thermal Resistance Parameter Symbol Value Unit
Junction - soldering point1) RthJS mW SMBT3906/ MMBT3906 ≤ 240 SMBT3906S ≤ 140 SMBT3906U ≤ 130 1For calculation of RthJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 40 - - V IC = 1 mA, IB = 0 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO 40 - - IC = 10 µA, IE = 0 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO 6 - - IE = 10 µA, IC = 0 Collector-base cutoff current ICBO - - 50 nA VCB = 30 V, IE = 0 DC current gain1) hFE - IC = 100 µA, VCE = 1 V 60 - - IC = 1 mA, VCE = 1 V 80 - - IC = 10 mA, VCE = 1 V 100 - 300 IC = 50 mA, VCE = 1 V 60 - - IC = 100 mA, VCE = 1 V 30 - - Collector-emitter saturation voltage1) VCEsat V IC = 10 mA, IB = 1 mA - - 0.25 IC = 50 mA, IB = 5 mA - - 0.4 Base emitter saturation voltage1) VBEsat IC = 10 mA, IB = 1 mA 0.65 - 0.85 IC = 50 mA, IB = 5 mA - - 0.95 1Pulse test: t < 300µs; D < 2% 2 2012-08-21
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка