Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SMBT3906...MMBT3906 (Infineon) - 3

ПроизводительInfineon
ОписаниеPNP Silicon Switching Transistors
Страниц / Страница12 / 3 — SMBT3906...MMBT3906. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. …
Версия01_01
Формат / Размер файлаPDF / 908 Кб
Язык документаанглийский

SMBT3906...MMBT3906. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. AC Characteristics

SMBT3906...MMBT3906 Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max AC Characteristics

26 предложений от 11 поставщиков
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
AllElco Electronics
Весь мир
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
от 6.35 ₽
Элитан
Россия
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
6.78 ₽
Эиком
Россия
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
от 7.60 ₽
Maybo
Весь мир
SMBT3906E6327HTSA1
Infineon
63 ₽
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SMBT3906...MMBT3906 Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. AC Characteristics
Transition frequency fT 250 - - MHz IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz Collector-base capacitance Ccb - - 3.5 pF VCB = 5 V, f = 1 MHz Emitter-base capacitance Ceb - - 10 VEB = 0.5 V, f = 1 MHz Delay time td - - 35 ns VCC = 3 V, IC = 10 mA, IB1 = 1 mA, VBE(off) = 0.5 V Rise time tr - - 35 VCC = 3 V, IC = 10 mA, IB1 = 1 mA, VBE(off) = 0.5 V Storage time tstg - - 225 VCC = 3 V, IC = 10 mA, IB1 = IB2 = 1 mA Fall time tf - - 75 VCC = 3 V, IC = 10 mA, IB1 = IB2 = 1 mA Noise figure F - - 4 dB IC = 100 µA, VCE = 5 V, f = 1 kHz, ∆ f = 200 Hz, RS = 1 kΩ 3 2012-08-21
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка