Datasheet BC847, BC547 (NXP) - 6

Производитель	NXP
Описание	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Страниц / Страница	15 / 6 — NXP Semiconductors. BC847/BC547 series. 45 V, 100 mA NPN general-purpose …
Формат / Размер файла	PDF / 100 Кб
Язык документа	английский

NXP Semiconductors. BC847/BC547 series. 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors. Characteristics. Table 8. Symbol Parameter

...

Купить BC847BT на РадиоЛоцман.Цены — от 0.43 до 35 ₽ 57 предложений от 25 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount
ТМ Электроникс Россия	BC847BT-7-F Diodes	от 5.39 ₽
727GS Весь мир	BC847BT115 NXP	35 ₽
МосЧип Россия	BC847BT116-RO NXP	по запросу
TradeElectronics Россия	BC847BT116 Rohm	по запросу

Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

BC547

BC547 BC547B BC547C

BC847

BC847 BC847,215 BC847A BC847A,215 BC847AM BC847AT BC847AT/DG BC847AW BC847B BC847B,215 BC847B/DG BC847BM BC847BT BC847BW BC847BW/DG BC847C BC847C,215 BC847CM BC847CT BC847CW BC847CW,115 BC847T BC847W BC847WSC

Текстовая версия документа

link to page 6 link to page 6 link to page 6 link to page 6
NXP Semiconductors BC847/BC547 series 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 7. Characteristics Table 8. Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
ICBO collector-base cut-off VCB = 30 V; IE = 0 A - - 15 nA current VCB = 30 V; IE = 0 A; - - 5 µA Tj = 150 °C IEBO emitter-base cut-off VEB = 5 V; IC = 0 A - - 100 nA current hFE DC current gain hFE group A VCE = 5 V; IC = 10 µA - 90 - hFE group B VCE = 5 V; IC = 10 µA - 150 - hFE group C VCE = 5 V; IC = 10 µA - 270 - DC current gain VCE = 5 V; IC = 2 mA 110 - 800 hFE group A VCE = 5 V; IC = 2 mA 110 180 220 hFE group B VCE = 5 V; IC = 2 mA 200 290 450 hFE group C VCE = 5 V; IC = 2 mA 420 520 800 VCEsat collector-emitter IC = 10 mA; IB = 0.5 mA - 90 200 mV saturation voltage IC = 100 mA; IB = 5 mA [1] - 200 400 mV VBEsat base-emitter IC = 10 mA; IB = 0.5 mA [2] - 700 - mV saturation voltage IC = 100 mA; IB = 5 mA [2] - 900 - mV VBE base-emitter voltage IC = 2 mA; VCE = 5 V [2] 580 660 700 mV IC = 10 mA; VCE = 5 V - - 770 mV Cc collector capacitance IE = ie = 0 A; VCB = 10 V; - - 1.5 pF f = 1 MHz Ce emitter capacitance IC = ic = 0 A; VEB = 0.5 V; - 11 - pF f = 1 MHz fT transition frequency IC = 10 mA; VCE = 5 V; 100 - - MHz f = 100 MHz NF noise figure IC = 200 µA; VCE = 5 V; - 2 10 dB RS = 2 kΩ; f = 1 kHz; B = 200 Hz [1] Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02. [2] VBE decreases by approximately 2 mV/K with increasing temperature. BC847_BC547_SER_7 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 07 — 10 December 2008 6 of 15
Document Outline 1. Product profile 1.1 General description 1.2 Features 1.3 Applications 1.4 Quick reference data 2. Pinning information 3. Ordering information 4. Marking 5. Limiting values 6. Thermal characteristics 7. Characteristics 8. Package outline 9. Packing information 10. Revision history 11. Legal information 11.1 Data sheet status 11.2 Definitions 11.3 Disclaimers 11.4 Trademarks 12. Contact information 13. Contents

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Танталовые конденсаторы Xiangyee – высокое качество и стабильность поставок

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring