Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet MMBD1501A / MMBD1503A / MMBD1504A / MMBD1505A (ON Semiconductor) - 3

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеHigh Conductance Low Leakage Diode
Страниц / Страница7 / 3 — Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol
ВерсияA
Формат / Размер файлаPDF / 302 Кб
Язык документаанглийский

Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol

Values are at TA = 25°C unless otherwise noted Symbol

36 предложений от 15 поставщиков
DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23. Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 200V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3. Diodes...
AiPCBA
Весь мир
MMBD1503A-D87Z
ON Semiconductor
5.36 ₽
Элитан
Россия
MMBD1503A-D87Z
ON Semiconductor
15 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
MMBD1503A-D87Z
ON Semiconductor
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
MMBD1503A_D87Z
Fairchild
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol
PD
RJA Parameter Value Unit Power Dissipation 350 mW Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 357 C/W Electrical Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol
VR VF Parameter
Breakdown Voltage Forward Voltage IR Reverse Current CT Total Capacitance Conditions Min. Max. Unit IR = 5.0 A 200 IF = 1.0 mA 620 720 mV IF = 10 mA 720 830 mV V IF = 50 mA 800 890 mV IF = 100 mA 830 930 mV IF = 200 mA 0.87 1.10 V IF = 300 mA 0.90 1.15 V VR = 125 V 1.0 nA VR = 125 V, TA = 150°C 3.0 A VR = 180 V 10.0 nA VR = 180 V, TA = 150°C 5.0 A VR = 0, f = 1.0 MHz 4.0 pF © 1993 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD1501A / MMBD1503A / MMBD1504A / MMBD1505A Rev. 2.6 www.fairchildsemi.com
2 MMBD1501A / MMBD1503A / MMBD1504A / MMBD1505A — Small Signal Diodes Thermal Characteristics
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка