Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF7832TRPBF (Infineon) - 6

ПроизводительInfineon
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница10 / 6 — Fig 12. Fig 13. Fig 14. Fig 15. Fig 16. Fig 17
Формат / Размер файлаPDF / 269 Кб
Язык документаанглийский

Fig 12. Fig 13. Fig 14. Fig 15. Fig 16. Fig 17

Fig 12 Fig 13 Fig 14 Fig 15 Fig 16 Fig 17

54 предложений от 25 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3,7Емкость, пФ:...
ChipWorker
Весь мир
IRF7832TRPBF
Infineon
20 ₽
Триема
Россия
IRF7832TRPBF
56 ₽
Контест
Россия
IRF7832TRPBF
57 ₽
Maybo
Весь мир
IRF7832TRPBF
Infineon
384 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF7832PbF ) 10 600 Ω ) I J m( D = 20A m( I e D c y 500 n g a 8 r TOP 7.0A t e si n 13A s E BOTTOM 16A e e 400 R h n c 6 n O T al e J = 125°C a cr v 300 u A o e S s - 4 l u ot P - 200 n e i l a T g r J = 25°C ni D 2 S , 100 ) n S o( A S E D 0 0 R 2 3 4 5 6 7 8 9 10 25 50 75 100 125 150 Starting T V J , Junction Temperature (°C) GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12.
On-Resistance vs. Gate Voltage
Fig 13.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Current Regulator Same Type as D.U.T. V(BR)DSS 15V tp 50KΩ .2µF 12V .3µF L V DRIVER DS +V D.U.T. DS - RG D.U.T + - VDD IAS A VGS 20V VGS tp 0.01Ω IAS 3mA I I G D
Fig 14.
Unclamped Inductive Test Circuit Current Sampling Resistors and Waveform L
Fig 15.
Gate Charge Test Circuit D VDS VDS + 90% V - DD D.U.T 10% VGS VGS Pulse Width < 1µs Duty Factor < 0.1% td(on) t t r d(off) tf
Fig 16.
Switching Time Test Circuit
Fig 17.
Switching Time Waveforms 6 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка