Datasheet IRF7832TRPBF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	10 / 7 — D.U.T. Fig 18. Fig 19
Формат / Размер файла	PDF / 269 Кб
Язык документа	английский

D.U.T. Fig 18. Fig 19

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRF7832TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 384 ₽ 54 предложений от 25 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3,7Емкость, пФ:...
ChipWorker Весь мир	IRF7832TRPBF Infineon	20 ₽
Промэлектроника Россия и страны СНГ	IRF7832TRPBF Infineon	50 ₽
Контест Россия	IRF7832TRPBF	57 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7832TRPBF Infineon	от 60 ₽

Модельный ряд для этого даташита

IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF

Текстовая версия документа

IRF7832PbF Driver Gate Drive P.W.
D.U.T
Period D = P.W. Period + V * Circuit Layout Considerations GS=10V • Low Stray Inductance • Ground Plane - • Low Leakage Inductance D.U.T. I Current Transformer SD Waveform + Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current - + - di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD • V dv/dt controlled by R DD Re-Applied RG G + Voltage • Driver same type as D.U.T. Body Diode Forward Drop • ISD controlled by Duty Factor "D" - Inductor Curent • D.U.T. - Device Under Test Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel HEXFET® Power MOSFETs Id Vds Vgs Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr
Fig 19.
Gate Charge Waveform www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring