Datasheet IRF7832TRPBF (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	HEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница	10 / 7 — D.U.T. Fig 18. Fig 19
Формат / Размер файла	PDF / 269 Кб
Язык документа	английский

D.U.T. Fig 18. Fig 19

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRF7832TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 382 ₽ 50 предложений от 25 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 30Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 3,7Емкость, пФ:...
AllElco Electronics Весь мир	IRF7832TRPBF Infineon	от 18 ₽
ЧипСити Россия	IRF7832TRPBF International Rectifier	25 ₽
Компонентс Ру Россия	IRF7832TRPBF Infineon	от 89 ₽
МосЧип Россия	IRF7832TRPBF International Rectifier	по запросу

Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Модельный ряд для этого даташита

IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF

Текстовая версия документа

IRF7832PbF Driver Gate Drive P.W.
D.U.T
Period D = P.W. Period + V * Circuit Layout Considerations GS=10V • Low Stray Inductance • Ground Plane - • Low Leakage Inductance D.U.T. I Current Transformer SD Waveform + Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current - + - di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt VDD • V dv/dt controlled by R DD Re-Applied RG G + Voltage • Driver same type as D.U.T. Body Diode Forward Drop • ISD controlled by Duty Factor "D" - Inductor Curent • D.U.T. - Device Under Test Ripple ≤ 5% ISD * VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel HEXFET® Power MOSFETs Id Vds Vgs Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr
Fig 19.
Gate Charge Waveform www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Индикаторы и дисплеи азиатского производства для проектов любой сложности

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring