AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRF540NS, IRF540NL (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница11 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 284 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

57 предложений от 31 поставщиков
Силовой МОП-транзистор (MOSFET) третьего поколения IRF540 обеспечивает лучшие сочетания быстрого переключения, прочный дизайн транзистора, низкий уровень сопротивления. Корпус TO-220AB универсален для...
IRF540N
от 15 ₽
Контест
Россия
IRF540NS
21 ₽
LifeElectronics
Россия
IRF540N-NOPBF-IR-*
по запросу
727GS
Весь мир
IRF540N
Infineon
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF540NS/IRF540NL 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V 8.0V 8.0V 7.0V 7.0V 6.0V 6.0V 5.5V 5.5V 5.0V 5.0V BOTTOM 4.5V BOTTOM 4.5V 100 100 4.5V 10 4.5V 10 I , Drain-to-Source Current (A) D I , Drain-to-Source Current (A) D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = J 25 °C T = 175 J °C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS V , Drain-to-Source Voltage (V) DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 1000 3.5 ID = 33A ) 3.0 nt (A 2.5 urre C 2.0 T = 25 C J ° ource 100 -S 1.5 T = 175 C (Normalized) J ° rain-to 1.0 I , D D 0.5 (on) S V = DS 50V D 20µs PULSE WIDTH R , Drain-to-Source On Resistance V = GS 10V 0.0 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 T , Junction Temperature ( C ° ) V , Gate-to-Source Voltage (V) J GS
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка