Источники питания KEEN SIDE

Datasheet BC846S (NXP) - 2

ПроизводительNXP
ОписаниеNPN general purpose double transistor 65 V, 100 mA, SOT363
Страниц / Страница7 / 2 — NXP Semiconductors. Product data sheet. NPN general purpose double …
Формат / Размер файлаPDF / 206 Кб
Язык документаанглийский

NXP Semiconductors. Product data sheet. NPN general purpose double transistor. BC846S. FEATURES. APPLICATIONS. DESCRIPTION. PINNING

NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose double transistor BC846S FEATURES APPLICATIONS DESCRIPTION PINNING

82 предложений от 39 поставщиков
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount
AllElco Electronics
Весь мир
BC846-QR
Nexperia
от 0.34 ₽
PL-1
Россия
BC846B (1B,8AB)
от 1.90 ₽
Augswan
Весь мир
BC846AMTF
ON Semiconductor
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BC846S115
NXP
по запросу
Ruimeng предлагает удачную замену популярной микросхеме Axx1248 – 24-битный Σ-Δ АЦП MS5148T

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 2
NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose double transistor BC846S FEATURES
• Two transistors in one package • Reduces number of components and board space handbook, halfpage 6 5 4 • No mutual interference between the transistors.
6 5 4
TR2
APPLICATIONS
TR1 • General purpose switching and small signal
1 2 3
amplification. 1 2 3 Top view MAM340
DESCRIPTION
NPN double transistor in an SC-88 (SOT363) plastic six lead package. Fig.1 Simplified outline (SC-88) and symbol.
PINNING PIN DESCRIPTION MARKING
1, 4 emitter TR1; TR2 2, 5 base TR1; TR2
TYPE NUMBER MARKING CODE
6, 3 collector TR1; TR2 BC846S 4Ft
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Per transistor
VCBO collector-base voltage open emitter − 80 V VCEO collector-emitter voltage open base − 65 V VEBO emitter-base voltage open collector − 6 V IC collector current (DC) − 100 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C
Per device
Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C; note 1 − 300 mW
Note
1. Refer to SC-88 (SOT363) standard mounting conditions. 1999 Sep 01 2 Document Outline Features Applications Description Pinning Marking Limiting values Thermal characteristics Characteristics Package outline Data sheet status Disclaimers
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка