Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet BC846ALT1G (ON Semiconductor) - 8

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеNPN Bipolar Transistor
Страниц / Страница13 / 8 — BC846ALT1G Series. BC847B, BC848B, BC849B, BC850B, SBC846B, SBC847B, …
Версия17
Формат / Размер файлаPDF / 111 Кб
Язык документаанглийский

BC846ALT1G Series. BC847B, BC848B, BC849B, BC850B, SBC846B, SBC847B, SBC848B. Figure 24. Collector Saturation Region

BC846ALT1G Series BC847B, BC848B, BC849B, BC850B, SBC846B, SBC847B, SBC848B Figure 24 Collector Saturation Region

44 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
Эиком
Россия
SBC846BLT1G
ON Semiconductor
от 4.90 ₽
SBC846BLT1G
ON Semiconductor
от 4.98 ₽
Maybo
Весь мир
SBC846BLT1G
ON Semiconductor
15 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SBC846BLT1G
ON Semiconductor
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC846ALT1G Series BC847B, BC848B, BC849B, BC850B, SBC846B, SBC847B, SBC848B
2.0 1.0 C) TA = 25°C ° -55°C to +125°C 1.2 TAGE (V) 1.6 (mV/ IC = 200 mA 1.6 1.2 I I I C = C = C = 50 mA IC = 100 mA COEFFICIENT 2.0 10 mA 20 mA OR-EMITTER VOL 0.8 TURE 2.4 0.4 , COLLECT 2.8 CE , TEMPERA V VBθ 0 0.02 0.1 1.0 10 20 0.2 1.0 10 100 IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 24. Collector Saturation Region Figure 25. Base−Emitter Temperature Coefficient
10 400 (MHz) 300 7.0 TA = 25°C 200 5.0 Cib V ANCE (pF) 100 CE = 10 V 3.0 T 80 A = 25°C ACIT Cob 60 2.0 C, CAP 40 30 1.0 20 T 0.4 0.6 0.8 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10 20 40 f, CURRENT-GAIN - BANDWIDTH PRODUCT 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 26. Capacitances Figure 27. Current−Gain − Bandwidth Product www.onsemi.com 8
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка