HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BC846, BC847, BC848 (ON Semiconductor) - 3

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеNPN Bipolar Transistor
Страниц / Страница13 / 3 — BC846, BC847, BC848. BC846A, BC847A, BC848A. Figure 1. DC Current Gain …
Версия12
Формат / Размер файлаPDF / 108 Кб
Язык документаанглийский

BC846, BC847, BC848. BC846A, BC847A, BC848A. Figure 1. DC Current Gain vs. Collector. Figure 2. DC Current Gain vs. Collector

BC846, BC847, BC848 BC846A, BC847A, BC848A Figure 1 DC Current Gain vs Collector Figure 2 DC Current Gain vs Collector

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC846, BC847, BC848 BC846A, BC847A, BC848A
300 300 150°C V V CE = 1 V CE = 5 V 150°C 200 200 25°C 25°C 100 −55°C 100 −55°C , DC CURRENT GAIN , DC CURRENT GAIN FE FE h h 0 0 0.001 0.01 0.1 1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 1. DC Current Gain vs. Collector Figure 2. DC Current Gain vs. Collector Current Current
0.18 IC/IB = 20 0.16 150°C 0.14 AGE (V) 0.12 T 25°C OR−EMITTER 0.10 0.08 TION VOL 0.06 −55°C , COLLECT TURA 0.04 SA CE(sat)V 0.02 0 0.0001 0.001 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 3. Collector Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current
1.0 1.2 −55°C 1.1 V 0.9 IC/IB = 20 CE = 5 V AGE (V) 1.0 T 0.8 25°C 0.9 −55°C AGE (V) T 0.7 0.8 25°C 0.6 150°C 0.7 0.6 , BASE−EMITTER TION VOL 0.5 150°C sat) 0.5 BE( TURA 0.4 V , BASE−EMITTER VOL 0.4 SA 0.3 on) 0.3 BE( 0.2 V 0.2 0.0001 0.001 0.01 0.1 0.0001 0.001 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage vs. Figure 5. Base Emitter Voltage vs. Collector Collector Current Current www.onsemi.com 3
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России