Дисплеи для встраиваемых приложений

Datasheet BC846AW, BC846BW, BC847AW, BC847BW, BC847CW, BC848AW, BC848BW, BC848CW (Diodes) - 3

ПроизводительDiodes
ОписаниеNPN
Страниц / Страница6 / 3 — BC846AW-BC848CW. Electrical Characteristics. Characteristic. Symbol. Min. …
Версия14-2
Формат / Размер файлаPDF / 342 Кб
Язык документаанглийский

BC846AW-BC848CW. Electrical Characteristics. Characteristic. Symbol. Min. Typ. Max. Unit. Test Condition. www.diodes.com

BC846AW-BC848CW Electrical Characteristics Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition www.diodes.com

68 предложений от 32 поставщиков
TRANS NPN 65V 0.1A SOT323. Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SC-70. Transistors - Bipolar (BJT) -...
AllElco Electronics
Весь мир
BC846AW
Diotec
от 0.28 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
BC846AW,115
Nexperia
от 1.38 ₽
BC846AWE6327
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
BC846AW
по запросу
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC846AW-BC848CW Electrical Characteristics
(@TA = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
BC846 80 Collector-Base Breakdown Voltage BC847 BVCBO 50 — — V IC = 100µA BC848 30 BC846 65 Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 8) BC847 BVCEO 45 — — V IC = 10mA BC848 30 BC846, BC847 6 Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO — — V IE = 100µA BC848 5 A 110 180 220 DC Current Gain (Note 8) Current Gain Group B hFE 200 290 450 — VCE = 5.0V, IC = 2.0mA C 420 520 800 20 nA VCB = 30V Collector Cutoff Current ICBO — — 5 µA VCB = 30V, TA = +150°C 90 250 IC = 10mA, IB = 0.5mA Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 8) VCE(sat) — mV 200 600 IC = 100mA, IB = 5.0mA 580 660 700 IC = 2mA, VCE = 5V Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 8) VBE(on) mV — — 770 IC = 10mA, VCE = 5V 700 IC = 10mA, IB = 0.5mA Base-Emitter Saturation Voltage (Note 8) VBE(sat) — — mV 900 IC = 100mA, IB = 5mA Output Capacitance Cobo — 3 4.5 pF VCB = 10V, f = 1.0MHz V Transition Frequency f CE = 5V, IC = 10mA, T 100 300 — MHz f = 100MHz VCE = 5V, IC = 200µA Noise Figure NF — — 10 dB RS = 2kΩ, f = 1kHz ∆f = 200Hz Note: 8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300µs. Duty cycle ≤ 2%. BC846AW – BC848CW 3 of 6 April 2017 Document Number: DS30250 Rev. 14 - 2
www.diodes.com
© Diodes Incorporated
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка