Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet BC856, BC857, BC858, BC859, BC860 (Infineon) - 3

ПроизводительInfineon
ОписаниеPNP Silicon AF Transistors
Страниц / Страница10 / 3 — BC856...BC860. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. …
Формат / Размер файлаPDF / 168 Кб
Язык документаанглийский

BC856...BC860. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. DC Characteristics

BC856...BC860 Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max DC Characteristics

59 предложений от 28 поставщиков
Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 100мА, 250мВт, SOT23
AllElco Electronics
Весь мир
BC860B
Diotec
0.59 ₽
Элитан
Россия
BC860B
NXP
2.35 ₽
Эиком
Россия
BC860B
Diotec
от 3.00 ₽
Контест
Россия
BC860B
5.38 ₽
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC856...BC860 Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES V IC = 10 µA, VBE = 0 BC856 80 - - BC857/860 50 - - BC858/859 30 - - Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO 5 - - IE = 1 µA, IC = 0 Collector cutoff current ICBO - - 15 nA VCB = 30 V, IE = 0 Collector cutoff current ICBO - - 5 µA VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C DC current gain 1) hFE - IC = 10 µA, VCE = 5 V hFE-group
A
- 140 - hFE-group
B
- 250 - hFE-group
C
- 480 - DC current gain 1) hFE IC = 2 mA, VCE = 5 V hFE-group
A
125 180 250 hFE-group
B
220 290 475 hFE-group
C
420 520 800 Collector-emitter saturation voltage1) VCEsat mV IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 75 300 IC = 100 mA, IB = 5 mA - 250 650 Base-emitter saturation voltage 1) VBEsat IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 700 - IC = 100 mA, IB = 5 mA - 850 - Base-emitter voltage 1) VBE(ON) IC = 2 mA, VCE = 5 V 600 650 750 IC = 10 mA, VCE = 5 V - - 820 1) Pulse test: t ≤ 300µs, D = 2% 3 Jan-28-2005
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка