Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (Infineon) - 4

ПроизводительInfineon
ОписаниеPNP Silicon AF Transistors SOT-323
Страниц / Страница11 / 4 — BC856W...BC860W. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. …
Формат / Размер файлаPDF / 187 Кб
Язык документаанглийский

BC856W...BC860W. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. DC Characteristics

BC856W...BC860W Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max DC Characteristics

76 предложений от 35 поставщиков
Транзисторы / Транзисторы биполярные (BJTs);SOT323;https://testrd.online/files/148569/pdf-148569.pdf;https://testrd.online/files/148569/148569-1130.jpg;Транзистор BC857CW
Эиком
Россия
BC857CW_R1_00001
PanJit
от 3.50 ₽
ЧипСити
Россия
BC857CW,115
NXP
80 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BC857CW/T3
NXP
по запросу
BC857CW.115, Транзистор PNP 45В 0.1А [ SOT323 ]
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC856W...BC860W Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES V IC = 10 µA, VBE = 0 BC856W 80 - - BC857/860W 50 - - BC858/859W 30 - - Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO 5 - - IE = 1 µA, IC = 0 Collector cutoff current ICBO - - 15 nA VCB = 30 V, IE = 0 Collector cutoff current ICBO - - 5 µA VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C DC current gain 1) hFE - IC = 10 µA, VCE = 5 V hFE-group
A
- 140 - hFE-group
B
- 250 - hFE-group
C
- 480 - DC current gain 1) hFE IC = 2 mA, VCE = 5 V hFE-group
A
125 180 250 hFE-group
B
220 290 475 hFE-group
C
420 520 800 Collector-emitter saturation voltage1) VCEsat mV IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 75 300 IC = 100 mA, IB = 5 mA - 250 650 Base-emitter saturation voltage 1) VBEsat IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 700 - IC = 100 mA, IB = 5 mA - 850 - Base-emitter voltage 1) VBE(ON) IC = 2 mA, VCE = 5 V 600 650 750 IC = 10 mA, VCE = 5 V - - 820 1) Pulse test: t ≤ 300µs, D = 2% 3 Jan-28-2005
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка