Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BC846A, BC846B, BC847A, BC847B, BC84C, BC848A, BC848B, BC848C, BC849B, BC848C (MCC) - 2

ПроизводительMCC
ОписаниеNPN Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23
Страниц / Страница4 / 2 — BC846A THRU BC849C. Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise …
Формат / Размер файлаPDF / 510 Кб
Язык документаанглийский

BC846A THRU BC849C. Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified. Parameter. Symbol. Min. Typ. Max. Units. Conditions

BC846A THRU BC849C Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified Parameter Symbol Min Typ Max Units Conditions

43 предложений от 17 поставщиков
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23
Элрус
Россия
BC847B-TP
MCC
от 1.40 ₽
AiPCBA
Весь мир
BC847B-TP
MCC
2.04 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
BC847B-TP
MCC
2.22 ₽
727GS
Весь мир
BC847B-TP
MCC
по запросу
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BC846A THRU BC849C Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified Parameter Symbol Min Typ Max Units Conditions
Collector-Base Breakdown Voltage BC846A-BC846B 80 V(BR)CBO V IC=10µA, IE=0 BC847A-BC847C 50 BC848A-BC848C,BC849B-BC849C 30 Collector-Emitter Breakdown Voltage BC846A-BC846B V 65 (BR)CEO V IC=10mA, IB=0 BC847A-BC847C 45 BC848A-BC848C,BC849B-BC849C 30 Emitter-Base Breakdown Voltage V I (BR)EBO 6 V E=10µA, IC=0 Collector Cut-off Current BC846A-BC846B I VCB=70V, IE=0 CBO 0.1 µA BC847A-BC847C VCB=50V, IE=0 BC848A-BC848C,BC849B-BC849C VCB=30V, IE=0 Collector Cut-off Current VCE=60V,IB=0 BC846A-BC846B ICEO 0.1 µA VCE=45V,IB=0 BC847A-BC847C VCE=30V,IB=0 BC848A-BC848C,BC849B-BC849C Emitter Cut-off Current IEBO 0.1 µA VEB=5V, IC=0 DC Current Gain hFE 110 220 BC846A,BC847A, BC848A VCE=5V, IC=2mA 200 450 BC846B,BC847B,BC848B, BC849B BC847C,BC848C,BC849C 420 800 Collector-Emitter Saturation Voltage V I CE(sat) 0.5 V C=100mA, IB=5mA Base-Emitter Saturation Voltage V I BE(sat) 1.10 V C=100mA, IB=5mA Transition Frequency fT 100 MHz VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz Collector Output Capacitance C pF ob 4.5 VCB=10V, f=1MHz Note: 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board Rev.3-1-01012019 2/4 MCCSEMI.COM
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка