Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon)
| Производитель | Infineon |
| Описание | 3-Level 1200 V CoolSiC™ Module |
| Страниц / Страница | 11 / 1 — VorläufigeDaten/PreliminaryData. PotentielleAnwendungen. … |
| Версия | 02_01 |
| Формат / Размер файла | PDF / 675 Кб |
| Язык документа | английский |
VorläufigeDaten/PreliminaryData. PotentielleAnwendungen. PotentialApplications. ElektrischeEigenschaften. ElectricalFeatures
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F3L11MR12W2M1_B65 EasyPACK™ModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• 3-Level-Applikationen • 3-level-applications • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • HighFrequencySwitchingapplication • SolarAnwendungen • Solarapplications
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• ErhöhteZwischenkreisspannung • IncreasedDC-linkvoltage • HoheStromdichte • Highcurrentdensity • NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• IntegrierterNTCTemperaturSensor • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITVerbindungstechnik • PressFITcontacttechnology • Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps
ModuleLabelCode BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11
DMX-Code
ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23 Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1 www.infineon.com 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /
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