AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet BYV29 (Philips)

ПроизводительPhilips
ОписаниеRectifier diodes ultrafast
Страниц / Страница5 / 1 — Philips Semiconductors. Product specification. Rectifier diodes. BYV29 …
Формат / Размер файлаPDF / 37 Кб
Язык документаанглийский

Philips Semiconductors. Product specification. Rectifier diodes. BYV29 series. ultrafast. FEATURES. SYMBOL. QUICK REFERENCE DATA

Datasheet BYV29 Philips

73 предложений от 34 поставщиков
Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 9 А, Одиночный, 1.26 В, 59 нс, 91 А
Lixinc Electronics
Весь мир
BYV29FB-600118
NXP
от 9.24 ₽
ЧипСити
Россия
BYV29-400
NXP
26 ₽
СЭлКом
Россия и страны СНГ
BYV29-500,127
от 70 ₽
Augswan
Весь мир
BYV29-100
NXP
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Philips Semiconductors Product specification Rectifier diodes BYV29 series ultrafast FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• Low forward volt drop V = 300 V/ 400 V/ 500 V R • Fast switching • Soft recovery characteristic k a V ≤ 1.03 V F • High thermal cycling performance 1 2 • Low thermal resistance I = 9 A F(AV) t ≤ 60 ns rr
GENERAL DESCRIPTION PINNING SOD59 (TO220AC)
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes
PIN DESCRIPTION
intended for use as output rectifiers tab in high frequency switched mode 1 cathode power supplies. 2 anode The BYV29 series is supplied in the conventional leaded SOD59 tab cathode (TO220AC) package. 1 2
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT BYV29 -300 -400 -500
V Peak repetitive reverse voltage - 300 400 500 V RRM V Crest working reverse voltage - 300 400 500 V RWM V Continuous reverse voltage - 300 400 500 V R I Average forward current1 square wave; δ = 0.5; - 9 A F(AV) T ≤ 123 ˚C mb I Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5; - 18 A FRM T ≤ 123 ˚C mb I Non-repetitive peak forward t = 10 ms - 100 A FSM current. t = 8.3 ms - 110 A sinusoidal; with reapplied VRRM(max) T Storage temperature -40 150 ˚C stg T Operating junction temperature - 150 ˚C j
THERMAL RESISTANCES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
R Thermal resistance junction to - - 2.5 K/W th j-mb mounting base R Thermal resistance junction to in free air. - 60 - K/W th j-a ambient
1
Neglecting switching and reverse current losses. September 1998 1 Rev 1.300 Document Outline FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA GENERAL DESCRIPTION PINNING LIMITING VALUES THERMAL RESISTANCES ELECTRICAL CHARACTERISTICS PACKAGE OUTLINE DEFINITIONS
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка