Производитель | Infineon |
Описание | 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor |
Страниц / Страница | 17 / 4 — IGL. D60R190D1. 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor. Thermal … |
Версия | 02_00 |
Формат / Размер файла | PDF / 1.1 Мб |
Язык документа | английский |
![]() 20 предложений от 9 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | |||
IGLD60R190D1AUMA1 | от 516 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 653 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 898 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | от 919 ₽ |