Datasheet IGLD60R190D1 (Infineon) - 4

Производитель	Infineon
Описание	600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
Страниц / Страница	17 / 4 — IGL. D60R190D1. 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor. Thermal …
Версия	02_00
Формат / Размер файла	PDF / 1.1 Мб
Язык документа	английский

IGL. D60R190D1. 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor. Thermal characteristics. Table 4. Parameter. Symbol. Values. Unit

...

Купить IGLD60R190D1AUMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 516 до 3 053 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	IGLD60R190D1AUMA1 Infineon	674 ₽
ЧипСити Россия	IGLD60R190D1AUMA1 Infineon	926 ₽
AiPCBA Весь мир	IGLD60R190D1AUMA1 Infineon	974 ₽
Элитан Россия	IGLD60R190D1AUMA1 Infineon	1 544 ₽

Модельный ряд для этого даташита

IGLD60R190D1

IGLD60R190D1AUMA1

Текстовая версия документа

IGL D60R190D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor 2 Thermal characteristics Table 4 Thermal characteristics Parameter Symbol Values Unit Note/Test Condition Min. Typ. Max.
Thermal resistance, junction-case RthJC - - 2 °C/W Reflow soldering temperature Tsold - - 245 °C MSL3 Final Data Sheet 4 Rev. 2.0 2018-11-09 Document Outline Features Benefits Applications Table of Contents 1 Maximum ratings 2 Thermal characteristics 3 Electrical characteristics 4 Electrical characteristics diagrams 5 Test Circuits 6 Package Outlines 7 Appendix A 8 Revision History

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring