Источники питания Keen Side

Datasheet IGLD60R190D1 (Infineon) - 10

ПроизводительInfineon
Описание600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
Страниц / Страница17 / 10 — IGL. D60R190D1. 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor. Figure …
Версия02_00
Формат / Размер файлаPDF / 1.1 Мб
Язык документаанглийский

IGL. D60R190D1. 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor. Figure 13. Typ. transfer characteristics. Figure 14. I D. I G. (V)

IGL D60R190D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Figure 13 Typ transfer characteristics Figure 14 I D I G (V)

16 предложений от 8 поставщиков
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
Зенер
Россия и страны ТС
IGLD60R190D1AUMA1
от 516 ₽
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon
от 934 ₽
AiPCBA
Весь мир
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon
974 ₽
Элитан
Россия
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon
1 544 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IGL D60R190D1 600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Figure 13 Typ. transfer characteristics Figure 14 Typ. transfer characteristics
30 20 30 20 25 25 15 15 20 20
) ) ) ) A A (A
15 10
(A
15 10
(m (m I D I D I G I G
10 10 5 5 5 5 0 0 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
V (V) V (V) GS GS
ID, IG =f(VGS); VDS = 8 V; Tj = 25 °C ID, IG =f(VGS); VDS = 8 V ; Tj = 125 °C
Figure 15 Typ. channel reverse characteristics Figure 16 Typ. channel reverse characteristics V (V) V (V) DS DS -10 -8 -6 -4 -2 0 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 0 0 -1 -1 -2 -2 -3 -3 -4 -4 ) ) -5 (A -5 (A I D I D -6 -6
-5V -4V -2V V -5V -4V -3V -2V -1V 0V V -3V -1V 0V GS GS
-7 -7 -8 -8 -9 -9 -10 -10
VDS=f(ID, VGS); Tj = 25 °C VDS=f(ID, VGS); Tj = 125 °C Final Data Sheet 10 Rev. 2.0 2018-11-09 Document Outline Features Benefits Applications Table of Contents 1 Maximum ratings 2 Thermal characteristics 3 Electrical characteristics 4 Electrical characteristics diagrams 5 Test Circuits 6 Package Outlines 7 Appendix A 8 Revision History
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка