Datasheet BCV61 (Infineon)
| Производитель | Infineon |
| Описание | NPN Silicon Double Transistor |
| Страниц / Страница | 7 / 1 — BCV61. NPN Silicon Double Transistor. Type. Marking. Pin Configuration. … |
| Версия | 01_01 |
| Формат / Размер файла | PDF / 544 Кб |
| Язык документа | английский |
BCV61. NPN Silicon Double Transistor. Type. Marking. Pin Configuration. Package. Maximum Ratings Parameter. Symbol. Value. Unit
33 предложений от 19 поставщиков Пылезащитная крышка, серый, Пылезащитная крышка, Разъемами MUSB типа А, Корпус из Резины |
| ZPD2V7
| 1.00 ₽ | |
| BCV61BE6327
Infineon | 1.98 ₽ | |
| 58-0020-012-S
Talema | от 2 215 ₽ | |
| BCV61TR
Infineon | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
BCV61 NPN Silicon Double Transistor
• To be used as a current mirror • Good thermal coupling and VBE matching 3 2 • High current gain 4 1 • Low collector-emitter saturation voltage • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 C1 (2) C2 (1) Tr.1 Tr.2 E1 (3) E2 (4) EHA00012
Type Marking Pin Configuration Package
BCV61B 1Ks 1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 = E2 SOT143 BCV61C 1Ls 1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 = E2 SOT143
Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage VCEO 30 V (transistor T1) Collector-base voltage (open emitter) VCBO 30 (transistor T1) Emitter-base voltage VEBS 6 DC collector current IC 100 mA Peak collector current, tp < 10 ms ICM 200 Base peak current (transistor T1) IBM 200 Total power dissipation, TS = 99 °C Ptot 300 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg -65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point1) RthJS ≤170 K/W 1For calculation of RthJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation) 1 2011-10-13
Купить BCV61 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.00 до 2 215 ₽
