Источники питания KEEN SIDE

Datasheet BCV61 (Infineon) - 2

ПроизводительInfineon
ОписаниеNPN Silicon Double Transistor
Страниц / Страница7 / 2 — BCV61. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. …
Версия01_01
Формат / Размер файлаPDF / 544 Кб
Язык документаанглийский

BCV61. Electrical Characteristics. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. DC Characteristics of T1

BCV61 Electrical Characteristics Parameter Symbol Values Unit min typ max DC Characteristics of T1

13 предложений от 10 поставщиков
Transistor Current Mirror 2 NPN, Base Collector Junction 30V 100mA Surface Mount PG-SOT-143-3D
AiPCBA
Весь мир
BCV61BE6327HTSA1
Infineon
9.07 ₽
Maybo
Весь мир
BCV61BE6327HTSA1
Infineon
35 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
BCV61BE6327HTSA1
36 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BCV61BE6327HTSA1
Infineon
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BCV61 Electrical Characteristics
at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics of T1
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 30 - - V IC = 10 mA, IB = 0 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO 30 - - IC = 10 µA, IE = 0 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO 6 - - IE = 10 µA, IC = 0 Collector cutoff current ICBO - - 15 nA VCB = 30 V, IE = 0 Collector cutoff current ICBO - - 5 µA VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C DC current gain1) hFE 100 - - - IC = 0.1 mA, VCE = 5 V DC current gain1) hFE IC = 2 mA, VCE = 5 V, BCV61B 200 290 450 IC = 2 mA, VCE = 5 V, BCV61C 420 520 800 Collector-emitter saturation voltage1) VCEsat mV IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 90 250 IC = 100 mA, IB = 5 mA - 200 600 Base-emitter saturation voltage1) VBEsat IC = 10 mA, IB = 0.5 mA - 700 - IC = 100 mA, IB = 5 mA - 900 - Base-emitter voltage1) VBE(ON) IC = 2 mA, VCE = 5 V 580 660 700 IC = 10 mA, VCE = 5 V - - 770 1Puls test: t ≤ 300 µs, D = 2% 2 2011-10-13
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка