Datasheet BF256A, BF256B, BF256C (Fairchild) Производитель Fairchild Описание N-Channel RF Amplifiers Страниц / Страница 3 / 1 — BF256A/. BF256A/BF256B/BF256C. F 2 5 6 B/BF256C. N-Channel RF Amplifiers. … Формат / Размер файла PDF / 31 Кб Язык документа английский
BF256A/. BF256A/BF256B/BF256C. F 2 5 6 B/BF256C. N-Channel RF Amplifiers. Absolute Maximum Ratings. Symbol. Parameter. Value. Units
Скачать PDF
28 предложений от 18 поставщиков
Катушка индуктивности силовая проволочная полуэкранированная 100мкГн ±20% 100кГц 10Q-Фактор феррит 1A 400мОм по постоянному току лента на катушке
BF256B Fujitsu-Siemens 3.26 ₽ Купить891 Keystone 17 ₽ КупитьSRN8040-101M Bourns 56 ₽ КупитьBF256B 596 ₽ Купить
Модельный ряд для этого даташита Текстовая версия документа BF256A/ B BF256A/BF256B/BF256C F 2 5 6 B/BF256C N-Channel RF Amplifiers • This device is designed for VHF/UHF amplifiers. • Sourced from process 50. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 10 mA PD Total Device Dissipation @TA=25°C 350 mW Derate above 25°C 2.8 mW/°C TSTG Operating and storage Temperature Range - 55 ~ 150 °CElectrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise notedSymbol Parameter Test Condition Min. Max. Units Off Characteristics V(BR)GSS Gate-Source Breakdown Voltage VDS = 0, IG = 1µA -30 V VGS Gate-Source VDS = 15V, ID = 200µA -0.5 -7.5 V VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS = 15V, ID = 10nA -0.5 -8 V IGSS Gate Reverse Current VGS = -20V, VGS = 0 -5 nAOn Characteristics IDSS Zero-Gate Voltage Drain Current BF256A VGS = 15V, VGS = 0 3 7 mA BF256B 6 13 BF256C 11 18Small Signal Characteristics gfs Common Source Forward Transconductance VDS = 15V, VGS = 0, f = 1KHz 4.5 mmhos ©2003 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, June 2003