Производитель | Nexperia |
Описание | 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET |
Страниц / Страница | 12 / 10 — Nexperia. GAN063-650WSA. 650 V, 50 mΩ Gal ium Nitride (GaN) FET. 12. … |
Версия | 27112019 |
Формат / Размер файла | PDF / 289 Кб |
Язык документа | английский |
![]() 15 предложений от 8 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | |||
GAN063-650WSAQ Nexperia | от 383 ₽ | ||
GAN063-650WSAQ Nexperia | 2 474 ₽ | ||
GAN063-650WSAQ Nexperia | 2 597 ₽ | ||
GAN063-650WSAQ Nexperia | от 3 744 ₽ |