Источники питания KEEN SIDE

Datasheet ZVN4210G (Diodes) - 4

ПроизводительDiodes
ОписаниеSOT223 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
Страниц / Страница5 / 4 — ZVN4210G. Package Outline Dimensions. SOT223. Dim. Min. Max. Typ. All …
Формат / Размер файлаPDF / 473 Кб
Язык документаанглийский

ZVN4210G. Package Outline Dimensions. SOT223. Dim. Min. Max. Typ. All Dimensions in mm. Suggested Pad Layout. Dimensions Value (in mm)

ZVN4210G Package Outline Dimensions SOT223 Dim Min Max Typ All Dimensions in mm Suggested Pad Layout Dimensions Value (in mm)

39 предложений от 16 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 100 В, 800 мА, 1.5 Ом, SOT-223, Surface Mount
ChipWorker
Весь мир
ZVN4210GTA
Diodes
28 ₽
ЧипСити
Россия
ZVN4210GTA
Diodes
28 ₽
Augswan
Весь мир
ZVN4210GTA
Diodes
по запросу
Контест
Россия
ZVN4210GTA
Zetex
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZVN4210G Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
N O
D
I
b1 Q
T
C
SOT223 A Dim Min Max Typ M A
1.55 1.65 1.60
R A1
0.010 0.15 0.05
O b
0.60 0.80 0.70 E E1
F b1 T
2.90 3.10 3.00 Gauge
C
0.20 0.30 0.25
N
Plane
IC
0.25
D
6.45 6.55 6.50
U
Seating L
E
3.45 3.55 3.50
ED
Plane
E1
6.90 7.10 7.00
CO
e1 b -10°
e
- - 4.60
NR
0° e
e1
- - 2.30
AP L
0.85 1.05 0.95
V
A A1 7°
Q
0.84 0.94 0.89
DW All Dimensions in mm AE N

Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version. X1 Y1
Dimensions Value (in mm) C
2.30
C1
6.40
X
1.20
X1
3.30
Y
1.60 C1 Y2
Y1
1.60
Y2
8.00 Y X C Z VN4210G 4 of 5 February 2015 Document Number DS33366 Rev. 3 - 2
www.diodes.com
© Diodes Incorporated
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка