Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet SCT3160KL (Rohm) - 10

ПроизводительRohm
ОписаниеN-channel SiC power MOSFET
Страниц / Страница13 / 10 — SCT3160KL. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KL. …
Формат / Размер файлаPDF / 716 Кб
Язык документаанглийский

SCT3160KL. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KL. 14.Jun.2018 - Rev.005

SCT3160KL Electrical characteristic curves TSQ50211-SCT3160KL 14.Jun.2018 - Rev.005

30 предложений от 14 поставщиков
Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 17А, 1.2кВ, 0.16Ом, 18В, 5.6В
AllElco Electronics
Весь мир
SCT3160KLGC11
LAPIS Semiconductor
от 478 ₽
Элитан
Россия
SCT3160KLGC11
Rohm
902 ₽
SCT3160KLGC11
Rohm
от 935 ₽
Эиком
Россия
SCT3160KLGC11
Rohm
2 693 ₽
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SCT3160KL
Datasheet l
Electrical characteristic curves
Fig.19 Typical Switching Loss Fig.20 Typical Switching Loss vs. Drain - Source Voltage vs. Drain Current 140 560 T = 25ºC T = 25ºC a a 120 I =5A 480 V =600V D DD V = 18V/0V V = 18V/0V GS GS R =0W R =0W 100 G [mJ] 400 G L=750mH L=750mH [mJ] E : y : E 80 Eon rg 320 e rgy n ne 60 E 240 g E in Eon ng h hi 40 itc 160 itc w w E S off S 20 80 Eoff 0 0 200 400 600 800 1000 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 Drain - Source Voltage : V [V] Drain Current : I [A] DS D Fig.21 Typical Switching Loss vs. External Gate Resistance 560 T = 25ºC 480 a V =600V DD I =5A D 400 V = 18V/0V GS [mJ] L=750mH : E 320 rgy ne 240 E ng Eon hi 160 itc w S 80 Eoff 0 0 5 10 15 20 25 30 External Gate Resistance : R [W] G www.rohm.com
TSQ50211-SCT3160KL
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. TSZ22111・15・001 10/12
14.Jun.2018 - Rev.005
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка