AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet SCT3160KLHR (Rohm) - 5

ПроизводительRohm
ОписаниеAutomotive Grade N-channel SiC power MOSFET
Страниц / Страница13 / 5 — SCT3160KLHR. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KLHR. …
Формат / Размер файлаPDF / 963 Кб
Язык документаанглийский

SCT3160KLHR. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KLHR. 16.Nov.2018 - Rev.001

SCT3160KLHR Electrical characteristic curves TSQ50211-SCT3160KLHR 16.Nov.2018 - Rev.001

29 предложений от 10 поставщиков
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 17 А, 1.2 кВ, 0.16 Ом, TO-247N
SCT3160KLHRC11
Rohm
от 978 ₽
Maybo
Весь мир
SCT3160KLHRC11
Rohm
1 198 ₽
SCT3160KLHRC11
Rohm
от 1 520 ₽
Элитан
Россия
SCT3160KLHRC11
Rohm
1 592 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SCT3160KLHR
Datasheet l
Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area 120 100 Operation in this area is limited by RDS(on) ] 100 [W ] P D [A 80 10 : I D t : tion P 60 W = 1μs* rren PW = 10μs* ssipa n Cu PW = 100μs 40 ai 1 PW = 1ms Dr PW = 10ms Power Di 20 Ta = 25ºC Single Pulse *Calculation(PW10μs) 0 0.1 25 75 125 175 0.1 1 10 100 1000 10000 Case Temperature : TC [°C] Drain - Source Voltage : VDS [V] Fig.3 Typical Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width 10 ce : 1 istan ] Res /W 0.1 [K 0.01 t Thermal R thJC sien 0.001 Tran Ta = 25ºC Single Pulse 0.00011E-6 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 1E+1 Pulse Width : PW [s] www.rohm.com
TSQ50211-SCT3160KLHR
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. TSZ22111・15・001 5/12
16.Nov.2018 - Rev.001
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка