Datasheet SCT3160KLHR (Rohm) - 10

Производитель	Rohm
Описание	Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET
Страниц / Страница	13 / 10 — SCT3160KLHR. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KLHR. …
Формат / Размер файла	PDF / 963 Кб
Язык документа	английский

SCT3160KLHR. Electrical characteristic curves. TSQ50211-SCT3160KLHR. 16.Nov.2018 - Rev.001

1 2 3

...

8 9

1 2 3

...

8 9

Купить SCT3160KLHRC11 на РадиоЛоцман.Цены — от 106 до 1 592 ₽ 29 предложений от 10 поставщиков Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 17 А, 1.2 кВ, 0.16 Ом, TO-247N
AllElco Electronics Весь мир	SCT3160KLHRC11 LAPIS Semiconductor	от 258 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	SCT3160KLHRC11 Rohm	от 845 ₽
Эиком Россия	SCT3160KLHRC11 Rohm	от 1 009 ₽
Maybo Весь мир	SCT3160KLHRC11 Rohm	1 198 ₽

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

SCT3160KLHR

SCT3160KLHRC11

Текстовая версия документа

SCT3160KLHR
Datasheet l
Electrical characteristic curves
Fig.19 Typical Capacitance Fig.20 C 　　　　　vs. Drain - Source Voltage oss Stored Energy 10000 16 Ta = 25ºC ] 14 [µJ F] 1000 12 C SS iss O C [p : E 10 ce : rgy 100 Coss ne 8 citan 6 tored E Capa 10 Crss S 4 Ta = 25ºC f = 1MHz C oss 2 VGS = 0V 1 0 0.1 1 10 100 1000 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Drain - Source Voltage : VDS [V] Drain - Source Voltage : VDS [V] Fig.21 Dynamic Input Characteristics *Gate Charge Waveform 20 ] Ta = 25ºC V [V DD = 600V I GS 15 D =5A V Pulsed e : tag ol 10 rce V ou - S 5 ate G 0 0 10 20 30 40 50 Total Gate Charge : Qg [nC] www.rohm.com
TSQ50211-SCT3160KLHR
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. TSZ22111・15・001 10/12
16.Nov.2018 - Rev.001

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Литий-тионилхлоридные батарейки – большая энергия в миниатюрном корпусе

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring